Lüfter steuern mit Transistor und ATmega

[wer]

ich versuch mal ein wenig zu rechnen mit den Angaben im Datenblatt zum BD139:

gegeben:

U_CEO 80,0 V
U_EBO 80,0 V
I_C 1,500 A
I_B 0,500 A
P_totO 12,5 W
T_j 150°C
U_CESAT 0,5 V (bei I_C = 0,5 A und I_B = 0,05 A)
h_FE 250 (max)

der Lüfter

U_L = 12 V und I_L = 750 mA

d.h.
R_L = 16 Ω und P_L = 9 W (ist das für die weitere Berechnung von Bedeutung?)

I_C > 2*I_L (genug Luft)
P_tot = U_CESAT * I_L = 0,5*0,75 = 0,38 W (das alledings bei 500 mA und nicht bei 750 mA; macht das was?)
d.h. P_tot < P_totO (kein Kühlkörper nötig)

zu h_FE stehen im Datenblatt viele verschiedene, bei unterschiedlichen Strom/Spannungswerten. Was da jetzt genommen werden muß?
I_B = I_L/h_FE = 750 mA/250 = 3 mA (stimmt das!?)

R_B = 5V/3mA = 1667 Ω (muß ich von den 5 V U_BESAT abziehen? Woher nehmen?)

Wenn das alles stimmt, was ich bezweifele, dann kann ich den Lüfter direkt mit diesem Transistor schalten.

Wahrscheinlich ist h_FE eher 25?
Dann wäre I_B=30 mA und R_B=167 Ω?

 

[dino03]

Hallo,

Na ja, ich hätte mir jetzt halt gerne den BD139 vorgeknöpft, weil der den Strom verträgt, den mein Lüfter zieht.
Ich werde noch ein bischen weiter suchen, aber das was ich bisher fand, war ohne Kennlinien.

Der BC107 wurde in einem Buch besprochen, das ich dazu gelesen habe. Ich hätte halt gerne das Datenblatt mit den dort gemachten Angaben verglichen.

Für größere Lasten benutze ich eigentlich nur noch MOSFETs. Für Kleinkram benutze ich noch BC547/557 (bipolar) oder BS170/250 (MOSFET).

Früher hat man ja eher BD135..140 oder 2N3055, MJE2955, ... für große Lasten verwendet. Da man aber bei den "Leistungstransistoren" wegen dem doch teilweise recht kleinen Gleichstromverstärkungsfaktor auch ne Menge Steuerstrom benötigt oder sich mit einer Darlingtonschaltung helfen muß mache ich das nicht mehr. Selbst wenn ein BD135, BD140, 2N3055, ... voll durchgesteuert ist, fällt an ihm gegenüber einem MOSFET trotzdem noch mehr Spannung ab. Das heißt natürlich mehr Verlustleistung und größerer Kühlkörper.

Bei Büchern oder Beiträgen die über 5-10 Jahre auf dem Buckel haben (da wird dann auch noch der BC107 erwähnt) wirst du wenige Schaltbilder mit MOSFETs sehen. Da gab es noch kaum Leistungs-MOSFETs. Und wenn dann waren die damals noch richtig teuer. Heutzutage wird eher MOSFET eingesetzt weil es bei Schaltanwendungen einiges erleichtert.

Bei Linearreglern (Netzteile, Stromquellen, ...) würde ich auch heutzutage noch bipolare Transistoren einsetzen da sie doch recht robust sind.

Wenn du unbedingt einen bipolaren einsetzen willst, dann sieh dir mal den folgenden an ...
als NPN: Anhang anzeigen BD645_npn_80V_3A_TO-220_Darlington_Infineon.pdf
als PNP: Anhang anzeigen BD646_pnp_80V_3A_TO-220_Darlington_Infineon.pdf

sind beides Darlingtons. Die Restspannung im durchgeschalteten Zustand ist allerdings nicht mit nem MOSFET vergleichbar. Sie liegt je nach Strom zwischen 0,7 und 2V. Dafür benötigst du aber keinen zweiten Transistor oder mußt bei 1A Laststrom 50-100mA Basisstrom wie bei nem BD135 in den Transistor prügeln (hab mal im Datenblatt des BD135 nachgesehen).

Für Schaltanwendungen benutze ich heutzutage den IRLU2905 (n-Kanal MOSFET) mit schönem kleinen Gehäuse.

Mal sehen ... evtl kann ich ja morgen mal MOSFET und Bipolar gegenüberstellen und ein wenig rumrechnen ...

Gruß
Dino

 

[wer]

Für größere Lasten benutze ich eigentlich nur noch MOSFETs.

LotadaC wollte mich auch schon in diese Richtung lotsen. Das habe ich nicht übersehen. Und sobald ich den Eindruck habe, daß ich mein Problem auch mit Transistoren lösen könnte, werde ich mir die MOSFET Variante anschauen.

Es wäre schön, wenn sich jemand anschauen könnte, was ich da gerechnet habe.

 

[dino03]

Es wäre schön, wenn sich jemand anschauen könnte, was ich da gerechnet habe.

Mach ich heute aber nicht mehr ... gleich gibts erstmal "Spachtelmasse"

Gruß
Dino

 

[wer]

Mach ich heute aber nicht mehr ... gleich gibts erstmal "Spachtelmasse"

Wohl bekomm's!

 

[wer]

Hätte vielleicht jemand Zeit, mir meine Rechnung zu kommentieren?

 

[dino03]

Hi,

Hätte vielleicht jemand Zeit, mir meine Rechnung zu kommentieren?

letzte Zeit arbeitstechnisch etwas viel um die Ohren gehabt ...

Geh ich gleich mal ran ...

Also zuerst mal das Datenblatt:
- Anhang anzeigen BD135_137_139_Motorola.pdf
- Anhang anzeigen BD135_137_139_Fairchild.pdf

Grenzdaten:
V_CE0 maximal 80V
I_C maximal 1,5A
P_D maximal 1,25W bzw 12,5W (T_a, T_C .. hmmm ) ... klärt sich weiter unten

Der Verstärkungsfaktor h_FE scheint beim BD139 abhängig vom Kollektorstrom zu sein. Bei 150mA minimal 40 und bei 0,5A minimal 25.

Lüfter: 12V / 750mA so auf Anhieb schonmal im grünen Bereich der Grenzdaten.

Wir wollen schalten und nicht linear Strom regeln.

Motorola-Datenblatt Fig1: Bei T_J 125°C max (Sperrschichttemperatur)
Liegt Spannung und Strom absolut im grünen Bereich. Also kein Thema. Die Kühlung lassen wir erstmal außen vor. Der Transistor kann es auf jeden fall schon mal. Ist im Fairchild-Datenblatt (Fig4) auch zu sehen.

Bei Fairchild gibts noch ne schöne Kennlinie (Figure 1. DC current Gain). Da werd ich mich mal dran orientieren. Bei I_C=750mA liegt h_FE bei etwa 65 wenn V_CE 2V ist.

Ich mache jetzt wegen der ganzen vorhandenen Kennlinien nur mit dem Fairchild-Datenblatt weiter ...

"Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage" sagt uns das bei I_C=750mA und einem 20fach kleinerem Basisstrom (also 37,5mA) etwa 250mV an der durchgeschalteten Kollektor-Emitter-Strecke abfallen. 37,5mA Basisstrom ist für nen Atmel auf jeden Fall zu viel für den IO-Pin. Ein kleinerer Basistrom wird auf jeden Fall die Sättigungsspannung unnötig nach oben treiben und damit die Verlusleistung des Transistors. Diese Info wäre jetzt eigentlich schon das Aus für eine Ein-Transistor-Lösung mit einem BD139 direkt am Atmel. Die anfallende Verlustleistung von 750mA * 0,25V = 0,1875W wäre sogar ohne Kühlkörper vertretbar. Hmmmm ... tja ...

Rechnen wir also mal mit der Kurve von "Figure 1. DC current Gain" weiter. Damit wäre die Sättigungsspannung V_CE=2V. Das wäre eine Verlustleistung von 750mA * 2V = 1,5W . Da würde ich auf jeden Fall einen kleinen Kühlkörper dransetzen. Außerdem hat der Lüfter nun nur noch 10V zur Verfügung weil ja 2V am Transistor abfallen. Dafür haben wir im Gegenzug eine Stromverstärkung von 65.

Mal sehen ... 750mA (Lüfter) / 65 = 11,5mA Basistrom. Das würde am Atmel gehen. Man könnte sogar noch etwas Reserve draufsetzen und 15mA geben (maximal 20mA!! könnte man sich im Notfall auch noch leisten).

in "Figure 3. Base-Emitter Voltage" sieht man die Basis-Emitter-Spannung bei gegebenem Laststrom. Das wäre bei 750mA und IB=Ic/10 etwa 0,9V Basisspannung. Bei der unteren Kurve ist der Transistor mit V_BE=0,85V lediglich "On". Bei der darüber sicher durchgeschaltet. Unsere Kurve liegt irgendwo dazwischen.

Ich tippe also mal auf etwa 0,87V Basis-Emitter-Spannung. Das mach dann mit einem Basisstromvon 15mA ...
Vcc=5V ist gegeben
V_OH ist bei einem Atmel mit 20mA und Vcc=5V maximal 4,2V. Siehe auch "25.2 DC Characteristics" im Atmel Datenblatt von nem Mega8. ... das nehmen wir mal für die Berechnung. Er schaltet also maximal auf 4,2V wenn man auf High schaltet.

4,2V - 0,87V = 3,33V was noch am Widerstand abfallen müssen.
Das macht dann bei 15mA ... 3,33V / 0,015A = 222 Ohm
und bei 20mA ... 3,33V / 0,02A = 166,5 Ohm.
Die Lösung liegt also irgendwo zwischen 220 und 180 Ohm (beides die Normwerte in dem Lösungsfenster von 166,5 bis 222)

Mit 220 Ohm Basisvorwiderstand würden wir den Atmel also etwas entlasten und dafür am Transistor etwas mehr Verlustleistung haben (etwa 1,5W) und mit dem 180 Ohm würden wir dem Atmel etwas mehr Strom abverlangen und den Transistor etwas mehr schonen (weniger Verlustleistung). Beides wäre möglich.

Nun zum Kühlkörper. Die 1,5W sind auf jeden Fall für das TO-126 Gehäuse zuviel. Das kan diese Gehäuse so alleine nicht an die Luft abgeben. Also einen kleinen Kühlkörper dran.

Laut dem Datenblatt ist die absolute Grenztemperatur "T_J Junction Temperature = 150 °C". LLeider steht im Fairchild-Datenblatt kein Wärmewiderstand drin. Also zurück zum Motorola-Datenblatt "Thermal Characteristics"...

Thermal Resistance, Junction to Case Theta_JC = 10°C/W (Wärmewiderstand Sperrschicht zum Gehäuse)
Thermal Resistance, Junction to Ambient Theta_JA = 100°C/W (Wärmewiderstand Sperrschicht zum Gehäuse)
Ahhh .. jetzt erschließt sich auch das T_a und T_C vom Anfang. Ambient und Case

Also weiter. Wir haben eine Verlustleistung von 1,5W. Damit wäre also die Sperrschichttemperatur bei einer Umgebungstemperatur von 25°C ...

1,5W * 100°C/W + 25°C = 175°C Absolut inakzeptabel und der sichere Tod für den Transistor.
Nun ein Kühlkörper ...

Ich rechne mal mit folgendem ...
V 4330N :: Rippen-Kühlkörper, 20x29x12mm, 13,5K/W für 0,49eur.
Die Maße ...
Allgemeines
Typ für TO220
Farbe schwarz

Maße
Länge 20,0 mm
Breite 29,0 mm
Höhe 12,0 mm

Ob nun TO220 oder TO126 ... sch... egal Man benötigt für nen TO126 keinen Isoliernippel aber trotzdem eine Glimmerscheibe wenn man ihn isolieren will. Beim TO220 aber zusätzlich wegen der Metallfahne des Transistors den Isoliernippel. Beide werden mit ner M3 Schraube angeschraubt.

GLIMMER TO 220 :: Glimmerscheibe für Gehäuse TO 220 für 0,044eur/STK (kauft nen 10er Pack oder mehr. Benötigt man öfters paßt für TO220 und normalerweise auch für TO126)

Datenblatt für die Glimmerscheiben ... Anhang anzeigen GLIMMER.pdf
Daraus entnehmen wir ... für TO220 einen Wärmewiderstand von 1,2K/W (Kelvin pro Watt)

Kelvin = GradCelsius mit anderem Nullpunkt. Die Abstufung ist identisch.

Also weiter ...

Der Kühlkörper hat 13,5K/W und die Glimmerscheibe bei TO126 wohl noch etwas mehr (weil weniger Metallfläche wie ein TO220) also mal mit 2K/W rechnen. Der Transistor hat 10K/W von der Sperrschicht zum Gehäuse. Das macht dann ...

10K/W (Transistor) + 2K/W (Glimmer) + 13,5K/W (Kühler) = 25,5K/W gesamt.
Bei 25°C Umgebung und 1,5W Verlust also ...

1,5W * 25,5°K/W + 25°C = 63,25°C Absolut OK. Das wär es dann. Sicherheitshalber noch ein wenig Wärmeleitpaste zwischenschmieren (NICHT!! alles zuschmieren sondern nur ganz dünn!) und alles ist gut.

Der Transistor wird also mit einem 180 Ohm oder 220 Ohm Basisvorwiderstand vom Atmel angesteuert. Damit hat der Lüfter noch etwa 10V im durchgeschalteten Zustand für seine Arbeit übrig. Für die Kühlung des Transistors nehmen wir den beschriebenen Kühlkörper (kann ja gleich mit in den Luftstrom).

ENDE der Erklärung.

Ich hab zwar jetzt die Berechnung nicht nachvollzogen aber dafür meinen Lösungsweg hoffentlich anschaulich aufgezeigt.

Gruß
Dino

 

[wer]

ENDE der Erklärung.
Ich hab zwar jetzt die Berechnung nicht nachvollzogen aber dafür meinen Lösungsweg hoffentlich anschaulich aufgezeigt.

Puhhh!

Ich druck mir mal die Datenblätter samt Deiner gigantischen Rechnung aus und kau das mal genüßlich durch.

Vielen Dank erst mal für Deine Mühe!!!

Es ist schon mal ganz interessant zu sehen, wie Du vorgehst.

 

[dino03]

Hi,

gern geschehen

Es ist schon mal ganz interessant zu sehen, wie Du vorgehst.

das sollte auch so sein.

Ich hab parallel neben der Berechnung den Text geschrieben. Er bildet also meine Gedankengänge ab.
Kann manchmal auch ein wenig konfus sein und etwas springen

Gruß
Dino

 

[wer]

Hallo Dino,

ich hab' das jetzt noch mal versucht nachzuvollziehen:

Also zuerst mal das Datenblatt:
- Anhang anzeigen 4960
- Anhang anzeigen 4961

Grenzdaten:
V_CE0 maximal 80V
I_C maximal 1,5A
P_D maximal 1,25W bzw 12,5W (T_a, T_C .. hmmm ) ... klärt sich weiter unten

Der Verstärkungsfaktor h_FE scheint beim BD139 abhängig vom Kollektorstrom zu sein. Bei 150mA minimal 40 und bei 0,5A minimal 25.

Lüfter: 12V / 750mA so auf Anhieb schonmal im grünen Bereich der Grenzdaten.

Wir wollen schalten und nicht linear Strom regeln.

Motorola-Datenblatt Fig1: Bei T_J 125°C max (Sperrschichttemperatur)
Liegt Spannung und Strom absolut im grünen Bereich. Also kein Thema. Die Kühlung lassen wir erstmal außen vor. Der Transistor kann es auf jeden fall schon mal. Ist im Fairchild-Datenblatt (Fig4) auch zu sehen.

Ich fand es aber dennoch interessant, daß sich die Kennlinien von Motorola und Fairchild deutlich unterscheiden. I_c knickt bei Motorola früher ab als bei Fairchild.

Bei Fairchild gibts noch ne schöne Kennlinie (Figure 1. DC current Gain). Da werd ich mich mal dran orientieren. Bei I_C=750mA liegt h_FE bei etwa 65 wenn V_CE 2V ist.

Ich mache jetzt wegen der ganzen vorhandenen Kennlinien nur mit dem Fairchild-Datenblatt weiter ...

"Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage" sagt uns das bei I_C=750mA und einem 20fach kleinerem Basisstrom (also 37,5mA) etwa 250mV an der durchgeschalteten Kollektor-Emitter-Strecke abfallen. 37,5mA Basisstrom ist für nen Atmel auf jeden Fall zu viel für den IO-Pin. Ein kleinerer Basistrom wird auf jeden Fall die Sättigungsspannung unnötig nach oben treiben und damit die Verlusleistung des Transistors.

Das sieht man im Ausgangskennlinienfeld, welches in keinem der Datenblätter enthalten ist. Du weißt es aus Erfahrung, nehme ich an? Wenn man vom Ohm'schen Gesetz ausgeht, dann sollte mit irgend einem Widerstand des Transistors an der BE-Strecke die Sättigungsspannung doch proportional (und nicht umgekehrt proportional) zum Basisstrom ansteigen. Wo ist da mein Gedankenfehler?

Diese Info wäre jetzt eigentlich schon das Aus für eine Ein-Transistor-Lösung mit einem BD139 direkt am Atmel. Die anfallende Verlustleistung von 750mA * 0,25V = 0,1875W wäre sogar ohne Kühlkörper vertretbar. Hmmmm ... tja ...

Hier hab ich lange gehangen!
Zum einen hast Du aus der 1. Kennlinie eine Verstärkung von 65 rausgelesen, zum anderen arbeitest Du mit der Verstärkung von 20, wie in der 2. Kennlinie, weiter.
Mir ist nicht klar, in wiefern das trotzdem vergleichbar bleibt.

Rechnen wir also mal mit der Kurve von "Figure 1. DC current Gain" weiter. Damit wäre die Sättigungsspannung V_CE=2V. Das wäre eine Verlustleistung von 750mA * 2V = 1,5W . Da würde ich auf jeden Fall einen kleinen Kühlkörper dransetzen. Außerdem hat der Lüfter nun nur noch 10V zur Verfügung weil ja 2V am Transistor abfallen. Dafür haben wir im Gegenzug eine Stromverstärkung von 65.

Mal sehen ... 750mA (Lüfter) / 65 = 11,5mA Basistrom. Das würde am Atmel gehen. Man könnte sogar noch etwas Reserve draufsetzen und 15mA geben (maximal 20mA!! könnte man sich im Notfall auch noch leisten).

in "Figure 3. Base-Emitter Voltage" sieht man die Basis-Emitter-Spannung bei gegebenem Laststrom. Das wäre bei 750mA und IB=Ic/10 etwa 0,9V Basisspannung. Bei der unteren Kurve ist der Transistor mit V_BE=0,85V lediglich "On". Bei der darüber sicher durchgeschaltet. Unsere Kurve liegt irgendwo dazwischen.

Warum nicht bei durchgeschaltet? Na ja, das gibt sich nicht viel.
Außerdem paßt hier die Verstärkung wieder überhaupt nicht 10 <> 65. Da kommt mir die gleiche Frage wie oben: Warum kann man das noch vergleichen?

Ich tippe also mal auf etwa 0,87V Basis-Emitter-Spannung. Das mach dann mit einem Basisstromvon 15mA ...
Vcc=5V ist gegeben
V_OH ist bei einem Atmel mit 20mA und Vcc=5V maximal 4,2V. Siehe auch "25.2 DC Characteristics" im Atmel Datenblatt von nem Mega8. ... das nehmen wir mal für die Berechnung. Er schaltet also maximal auf 4,2V wenn man auf High schaltet.

4,2V - 0,87V = 3,33V was noch am Widerstand abfallen müssen.
Das macht dann bei 15mA ... 3,33V / 0,015A = 222 Ohm
und bei 20mA ... 3,33V / 0,02A = 166,5 Ohm.
Die Lösung liegt also irgendwo zwischen 220 und 180 Ohm (beides die Normwerte in dem Lösungsfenster von 166,5 bis 222)

Mit 220 Ohm Basisvorwiderstand würden wir den Atmel also etwas entlasten und dafür am Transistor etwas mehr Verlustleistung haben (etwa 1,5W) und mit dem 180 Ohm würden wir dem Atmel etwas mehr Strom abverlangen und den Transistor etwas mehr schonen (weniger Verlustleistung). Beides wäre möglich.

Nun zum Kühlkörper. Die 1,5W sind auf jeden Fall für das TO-126 Gehäuse zuviel. Das kan diese Gehäuse so alleine nicht an die Luft abgeben. Also einen kleinen Kühlkörper dran.

Laut dem Datenblatt ist die absolute Grenztemperatur "T_J Junction Temperature = 150 °C". LLeider steht im Fairchild-Datenblatt kein Wärmewiderstand drin. Also zurück zum Motorola-Datenblatt "Thermal Characteristics"...

Thermal Resistance, Junction to Case Theta_JC = 10°C/W (Wärmewiderstand Sperrschicht zum Gehäuse)
Thermal Resistance, Junction to Ambient Theta_JA = 100°C/W (Wärmewiderstand Sperrschicht zum Gehäuse)

Letzteres ist der Wärmewiderstand vom Gehäuse zur Umgebung, oder?

Ahhh .. jetzt erschließt sich auch das T_a und T_C vom Anfang. Ambient und Case

Also weiter. Wir haben eine Verlustleistung von 1,5W. Damit wäre also die Sperrschichttemperatur bei einer Umgebungstemperatur von 25°C ...

1,5W * 100°C/W + 25°C = 175°C Absolut inakzeptabel und der sichere Tod für den Transistor.
Nun ein Kühlkörper ...

Ich rechne mal mit folgendem ...
V 4330N :: Rippen-Kühlkörper, 20x29x12mm, 13,5K/W für 0,49eur.
Die Maße ...
Allgemeines
Typ für TO220
Farbe schwarz

Maße
Länge 20,0 mm
Breite 29,0 mm
Höhe 12,0 mm

Ob nun TO220 oder TO126 ... sch... egal Man benötigt für nen TO126 keinen Isoliernippel aber trotzdem eine Glimmerscheibe wenn man ihn isolieren will. Beim TO220 aber zusätzlich wegen der Metallfahne des Transistors den Isoliernippel. Beide werden mit ner M3 Schraube angeschraubt.

GLIMMER TO 220 :: Glimmerscheibe für Gehäuse TO 220 für 0,044eur/STK (kauft nen 10er Pack oder mehr. Benötigt man öfters paßt für TO220 und normalerweise auch für TO126)

Datenblatt für die Glimmerscheiben ... Anhang anzeigen 4962
Daraus entnehmen wir ... für TO220 einen Wärmewiderstand von 1,2K/W (Kelvin pro Watt)

Kelvin = GradCelsius mit anderem Nullpunkt. Die Abstufung ist identisch.

Also weiter ...

Der Kühlkörper hat 13,5K/W und die Glimmerscheibe bei TO126 wohl noch etwas mehr (weil weniger Metallfläche wie ein TO220) also mal mit 2K/W rechnen. Der Transistor hat 10K/W von der Sperrschicht zum Gehäuse. Das macht dann ...

10K/W (Transistor) + 2K/W (Glimmer) + 13,5K/W (Kühler) = 25,5K/W gesamt.
Bei 25°C Umgebung und 1,5W Verlust also ...

1,5W * 25,5°K/W + 25°C = 63,25°C Absolut OK. Das wär es dann. Sicherheitshalber noch ein wenig Wärmeleitpaste zwischenschmieren (NICHT!! alles zuschmieren sondern nur ganz dünn!) und alles ist gut.

Der Transistor wird also mit einem 180 Ohm oder 220 Ohm Basisvorwiderstand vom Atmel angesteuert. Damit hat der Lüfter noch etwa 10V im durchgeschalteten Zustand für seine Arbeit übrig. Für die Kühlung des Transistors nehmen wir den beschriebenen Kühlkörper (kann ja gleich mit in den Luftstrom).

ENDE der Erklärung.

Der ganze Rest ist klar.

Vielen Dank Dino!!!

Wenn ich die Unsicherheiten bezügl. des Verstärkungsfaktors noch beseitigen kann, dann bin ich wirklich ein gutes Stück weiter.

Herzliche Grüße

Wolfgang

 

[wer]

Noch ein Nachtrag:

Bei Reichelt gibt es einen sogenannten BD 139 CDIL. Im zugehörigen Datenblatt cdil liest man, daß es den BD139 in 4 verschiedenen h_FE Stufen gibt:

BD139-6 40-100
BD139-10 63-160
BD139-16 100-250
BD139-25 160-400

Distrelec hat den 10er und den 16er. Mouser hat auch den 6er. Aber den 25er finde ich nirgendwo.

Bei der 1. Kennlinie von Fairchild scheint es sich um den 6er zu handeln, oder? D.h. mit dem 10er oder 16er ist noch mehr raus zu holen?
Bei dem BD139 den das Motorola-Datenblatt beschreibt handelt es sich wohl um den 16er.

 

[dino03]

Hi Wolfgang,

Ich fand es aber dennoch interessant, daß sich die Kennlinien von Motorola und Fairchild deutlich unterscheiden. I_c knickt bei Motorola früher ab als bei Fairchild.

Je nach Hersteller kann sich das schon ein wenig unterscheiden. Bei ICs die es von verschiedenen Herstellern gibt ist das teilweise noch extremer. Wenn du zB ICs aus der 74er-Reihe in CMOS-Version verwendest, dann werden evtl manche Schaltungen nur mit ICs eines bestimmten Herstellers funktionieren. Das sind dann aber Schaltungen die das IC ein wenig zweckentfremden

Bei Fairchild gibts noch ne schöne Kennlinie (Figure 1. DC current Gain). Da werd ich mich mal dran orientieren. Bei I_C=750mA liegt h_FE bei etwa 65 wenn V_CE 2V ist.

Ich mache jetzt wegen der ganzen vorhandenen Kennlinien nur mit dem Fairchild-Datenblatt weiter ...

"Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage" sagt uns das bei I_C=750mA und einem 20fach kleinerem Basisstrom (also 37,5mA) etwa 250mV an der durchgeschalteten Kollektor-Emitter-Strecke abfallen. 37,5mA Basisstrom ist für nen Atmel auf jeden Fall zu viel für den IO-Pin. Ein kleinerer Basistrom wird auf jeden Fall die Sättigungsspannung unnötig nach oben treiben und damit die Verlusleistung des Transistors.

Das sieht man im Ausgangskennlinienfeld, welches in keinem der Datenblätter enthalten ist. Du weißt es aus Erfahrung, nehme ich an? Wenn man vom Ohm'schen Gesetz ausgeht, dann sollte mit irgend einem Widerstand des Transistors an der BE-Strecke die Sättigungsspannung doch proportional (und nicht umgekehrt proportional) zum Basisstrom ansteigen. Wo ist da mein Gedankenfehler?

Also die von mir angegebenen Werte sind alle aus den Datenblättern geholt. Ich hab die Diagramme die ich verwendet habe ja auch jedesmal mit angegeben (Fig.2, Fig.1, ...). Da steht auch das mit "V_CE 2V" drin. Das ein Atmel keine 37,5mA verträgt hab ich auch mal aus nem Atmel-Datenblatt erfahren. Das steht da auch drin. Das der Transistor weniger durchsteuert wenn man den Basisstrom verringert, das liegt in der Funktion eines Transistors begraben. Wenn er weniger durchsteuert, dann fällt logischerweise mehr Spannung an seiner CE-Strecke ab. Mehr Spannung und entsprechender Strom heißt mehr Verlustleistung. Es sind lediglich logische Zusammenhänge.

Diese Info wäre jetzt eigentlich schon das Aus für eine Ein-Transistor-Lösung mit einem BD139 direkt am Atmel. Die anfallende Verlustleistung von 750mA * 0,25V = 0,1875W wäre sogar ohne Kühlkörper vertretbar. Hmmmm ... tja ...

Hier hab ich lange gehangen!
Zum einen hast Du aus der 1. Kennlinie eine Verstärkung von 65 rausgelesen, zum anderen arbeitest Du mit der Verstärkung von 20, wie in der 2. Kennlinie, weiter.
Mir ist nicht klar, in wiefern das trotzdem vergleichbar bleibt.

Da habe ich zuerst mal mit den Angaben gerechnet, die am Transistor die kleinste Verlustleistung ergeben. Er muß also möglichst weit durchsteuern. Die IB=IC/10 hab ich erst garnicht verwendet weil das bei dem Lüfter ja 75mA Basisstrom ergeben würde. Also definitiv zu viel für den Atmel. Also hab ich mal einfach mit IB=IC/20 aus den Diagrammen probiert. Das steuert den Transistor noch relativ gut durch benötigt aber immer noch 37,5mA Basisstrom. Das ist für den Atmel auch zuviel. Also muß man Plan-B nehmen und dem Transistor mehr Verlustleistung aufbürden um den Basisstrom runter zu bekommen. Dadurch wird aber der Transistor weniger durchsteuern und nen Kühlkörper für die Verlustleistung benötigen. Für Plan-B hab ich also auf Diagramm "Figure 1. DC current Gain" zurückgegriffen bei dem aber V_CE nicht mehr die minimal möglichen 0,25V sondern 2V sind. Also mehr Verlustleistung. Das V_CE=2V steht klein im Diagramm drin. Siehe auch den weiteren Weg ...

Rechnen wir also mal mit der Kurve von "Figure 1. DC current Gain" weiter. Damit wäre die Sättigungsspannung V_CE=2V. Das wäre eine Verlustleistung von 750mA * 2V = 1,5W . Da würde ich auf jeden Fall einen kleinen Kühlkörper dransetzen. Außerdem hat der Lüfter nun nur noch 10V zur Verfügung weil ja 2V am Transistor abfallen. Dafür haben wir im Gegenzug eine Stromverstärkung von 65.

Mal sehen ... 750mA (Lüfter) / 65 = 11,5mA Basistrom. Das würde am Atmel gehen. Man könnte sogar noch etwas Reserve draufsetzen und 15mA geben (maximal 20mA!! könnte man sich im Notfall auch noch leisten).

in "Figure 3. Base-Emitter Voltage" sieht man die Basis-Emitter-Spannung bei gegebenem Laststrom. Das wäre bei 750mA und IB=Ic/10 etwa 0,9V Basisspannung. Bei der unteren Kurve ist der Transistor mit V_BE=0,85V lediglich "On". Bei der darüber sicher durchgeschaltet. Unsere Kurve liegt irgendwo dazwischen.

Warum nicht bei durchgeschaltet? Na ja, das gibt sich nicht viel.
Außerdem paßt hier die Verstärkung wieder überhaupt nicht 10 <> 65. Da kommt mir die gleiche Frage wie oben: Warum kann man das noch vergleichen?

Ich hab da nichts verglichen sondern nach dem Ausschlußverfahren versucht eine Lösung zu finden die mir die wenigsten Probleme einbringt. Für das durchschalten benötigt man ja mehr Basisstrom die der Atmel aber nicht liefern kann. Darum also nicht voll durchgeschaltet sondern über die maximal bei 750mA mögliche Verstärkung die man in dem Diagramm ablesen kann. Das ist 65fach. Der Transistor ist also eher im Verstärkerbetrieb statt wie gewünscht im Schaltbetrieb. Leider.

Ich tippe also mal auf etwa 0,87V Basis-Emitter-Spannung. Das mach dann mit einem Basisstromvon 15mA ...
Vcc=5V ist gegeben
V_OH ist bei einem Atmel mit 20mA und Vcc=5V maximal 4,2V. Siehe auch "25.2 DC Characteristics" im Atmel Datenblatt von nem Mega8. ... das nehmen wir mal für die Berechnung. Er schaltet also maximal auf 4,2V wenn man auf High schaltet.

4,2V - 0,87V = 3,33V was noch am Widerstand abfallen müssen.
Das macht dann bei 15mA ... 3,33V / 0,015A = 222 Ohm
und bei 20mA ... 3,33V / 0,02A = 166,5 Ohm.
Die Lösung liegt also irgendwo zwischen 220 und 180 Ohm (beides die Normwerte in dem Lösungsfenster von 166,5 bis 222)

Mit 220 Ohm Basisvorwiderstand würden wir den Atmel also etwas entlasten und dafür am Transistor etwas mehr Verlustleistung haben (etwa 1,5W) und mit dem 180 Ohm würden wir dem Atmel etwas mehr Strom abverlangen und den Transistor etwas mehr schonen (weniger Verlustleistung). Beides wäre möglich.

Nun zum Kühlkörper. Die 1,5W sind auf jeden Fall für das TO-126 Gehäuse zuviel. Das kan diese Gehäuse so alleine nicht an die Luft abgeben. Also einen kleinen Kühlkörper dran.

Laut dem Datenblatt ist die absolute Grenztemperatur "T_J Junction Temperature = 150 °C". LLeider steht im Fairchild-Datenblatt kein Wärmewiderstand drin. Also zurück zum Motorola-Datenblatt "Thermal Characteristics"...

Thermal Resistance, Junction to Case Theta_JC = 10°C/W (Wärmewiderstand Sperrschicht zum Gehäuse)
Thermal Resistance, Junction to Ambient Theta_JA = 100°C/W (Wärmewiderstand Sperrschicht zum Gehäuse)

Letzteres ist der Wärmewiderstand vom Gehäuse zur Umgebung, oder?

Zuerst hab ich als Beispiel mal ausgerechnet wie es bei der Verlustleistung ohne Kühlkörper aussieht. Da der Transistor ohne Kühlkörper selber die Leistung an die Umgebung abgeben muß wird also der Wert "Junction to Ambient Theta_JA" angewendet. Wenn man dann einen Kühlkörper verwendet, dann gibt er ja nicht mehr selber die Hitze ab sondern führt sie an einen Kühlkörper weiter. Darum also dann der Wert "Junction to Case Theta_JC".

Der ganze Rest ist klar.

Vielen Dank Dino!!!

Wenn ich die Unsicherheiten bezügl. des Verstärkungsfaktors noch beseitigen kann, dann bin ich wirklich ein gutes Stück weiter.

Na wunderbar wenn du dem Rest sonst soweit folgen kannst

Der Verstärkungsfaktor ist so eine Sache. Da wird es schwierig, den richtigen Transistor zu bekommen da manche Händler einfach die Basisbezeichnung reinstellen und dann verkaufen was grad da ist. Das ist also ein ziemliches "Hornberger Schießen".

Der Verstärkungsfaktor ist dann, wie du schon bemerkt hast, über einen Anhang angegeben. Je nach Hersteller kann das auch wieder verschieden sein. Bei manchen Transistoren steht statt -6, -10, -16 auch A, B, C, D hinter der Typenbezeichnung. Eine Erklärung was das dann heißt, kann dir nur das Datenblatt des jeweiligen Herstellers geben.

Gruß
Dino

 

[wer]

Ich denke ich habe jetzt einigermaßen verstanden, wie man da dran gehen kann. Mal sehen, wie sich dies bei meinem nächsten Transistor bewährt.

Für meinen Lüfter möchte ich jetzt Eurem Rat folgen und mich mit MOSFETs anfreunden.

Ich habe hier mal ein paar aus einer Liste herauskopiert, die allesamt
Logic-Level Typen sind:

Bezeichnung Package        UGS(th)[V] UDS[V] ID[A] P[W] RDS,on[mOhm] Bemerkung                 Preis [EUR]
IRLIZ44N    TO-220-Fullpak 1.0 - 2.0  55     30    45   25           Logic Level               0,80 € 
IRLU024N    TO-251AA       1.0 - 2.0  55     17    45   80           Logic Level, Qg=15 nC (!) 0,40 € 
IRLML2502   SOT23          1.2        20     4,2   1    45           Logic-Level               0,21 € 
IRLU2905    TO251, DPack   2.0        55     42    110  27           Logic-Level               1,89 € 
IRLD024     HEXDIP/DIP4    1.0-2.0    60     2,5   1,3  100          Logic-Level               0,47 €

So auf den ersten Blick müßte ja der IRLML2502 reichen (UDS<12 und ID<0,75). Allerdings irritiert mich die Leistungsangabe. Ähnlich sieht es beim IRLD024 aus.

Der nächste Kandidat wäre dann der IRLU24N. Was bedeutet dort 'Qg=15 nC (!)'?

Ich tappe noch ziemlich im Dunklen!

Wann braucht man einen Treiber? Um die Steuerspannung zu erzeugen?
Wann ist der MOSFET durchgeschaltet? Beim doppelten Wert von UGS(th)?

Gruß, Wolfgang

 

[dino03]

Hallo Wolfgang,

Für meinen Lüfter möchte ich jetzt Eurem Rat folgen und mich mit MOSFETs anfreunden.

Ich habe hier mal ein paar aus einer Liste herauskopiert, die allesamt
Logic-Level Typen sind:

Bezeichnung Package        UGS(th)[V] UDS[V] ID[A] P[W] RDS,on[mOhm] Bemerkung                 Preis [EUR]
IRLIZ44N    TO-220-Fullpak 1.0 - 2.0  55     30    45   25           Logic Level               0,80 € 
IRLU024N    TO-251AA       1.0 - 2.0  55     17    45   80           Logic Level, Qg=15 nC (!) 0,40 € 
IRLML2502   [B]SOT23[/B]          1.2        20     4,2   1    45           Logic-Level               0,21 € 
IRLU2905    TO251, DPack   2.0        55     42    110  27           Logic-Level               1,89 € 
IRLD024     [B]HEXDIP/DIP4[/B]    1.0-2.0    60     2,5   1,3  100          Logic-Level               0,47 €

So auf den ersten Blick müßte ja der IRLML2502 reichen (UDS<12 und ID<0,75). Allerdings irritiert mich die Leistungsangabe. Ähnlich sieht es beim IRLD024 aus.

Dann sieh dir mal die Größe der Gehäuse an.
SOT23 ist ein Fliegenschiss oder Vogelfutter oder wie man es auch immer nennen will (ca. 3mm x 1,3mm x 1mm). Du mußt auf jeden Fall auf die Gehäuse achten damit du nicht auf einmal ein Gehäuse in den Fingern hast das du nicht verarbeiten kannst (zB zu klein, schlecht zu löten, blödes Gehäuse, ...).

Der nächste Kandidat wäre dann der IRLU24N. Was bedeutet dort 'Qg=15 nC (!)'?
Ich tappe noch ziemlich im Dunklen!

Also es gibt die Kapazität C in Farad (µF, nF, pF, ...)
Dann gibt es Spannung U in Volt (V, mV, µV, ...)
und es gibt die elektrische Ladung Q in Coulomb
Q = C * U
(steht bei Wikipedia unten bei "Messung")

Da gibt es im Physikunterricht schöne Experimente:

Sagen wir mal das du einen Kondensator mit zwei Platten hast und als Dielektrikum zwischen den Platten ist nur Luft. Er hat also eine bestimmte Kapazität in Farad.

Nun lädst du den Kondensator auf eine Bestimmte Spannung auf. Damit hast du eine bestimmte Ladung auf dem Kondensator. Die Ladung ist einfach ausgedrückt die Menge der Elektronen die du von der einen Platte abgesaugt und auf die andere draufgepumpt hast. Je größer die Platten sind (die Kapazität) desto mehr Elektronen kannst du verschieben um auf eine bestimmte Spannung zu kommen.

Wenn du nun die Batterie abklemmst dann bleibt die Ladung erhalten (im Idealfall).

Wenn du nun statt dem Dielektrikum Luft eine Keramikplatte zwischen die Platten schiebst (Dielektrikum Keramik) änderst du damit die Kapazität des Kondensators. Da die Ladung aber immer gleichbleibt (die Menge der Elektronen) muß sich dann also zwangsweise die Spannung ändern.

Q ist also die Ladung. g würde ich als Gate interpretieren. Ich würde das also als Gateladung interpretieren die zum durchschalten benötigt wird (Nano Coulomb). Wobei ich noch nie damit gerechnet habe. Ich seh mir eher die Kennlinienfelder an um zu sehen wann er wie durchsteuert. Die Kapazität des Gates benötigst du dann wenn du sehr schnell schalten willst. Je größer die Gatekapazität ist und je schneller du schalten willst, desto größer sind die Umladeströme. Meißt wird auch ein Widerstand in die Gateleitung gelegt um die Ströme etwas zu begrenzen. Der liegt dann bei etwa 10..470 Ohm. Je nachdem wie schnell man schalten will oder wieviel Umladestrom man sich gönnen will. Mit der Gatekapazität kann man ja ausrechnen wie stark die dann mit diesem Widerstand zusammen als Tiefpaß arbeitet.

Wann braucht man einen Treiber? Um die Steuerspannung zu erzeugen?
Wann ist der MOSFET durchgeschaltet? Beim doppelten Wert von UGS(th)?

Sieh dir mal folgendes Datenblatt an (den nehme ich immer gern) ...
Anhang anzeigen IRLU2905_HexPowerMOSFET.pdf

Das Diagramm auf Seite 3 : Fig 1.Typical Output Characteristics

Da siehst du die Graphen der Gatesteuerspannungen. Auf der Y-Achse ist der Drainstrom abgebildet und auf der X-Achse wieviel Spannung noch am Kanal abfällt. Da sieht man zB das bei 3,0V Gatespannung und 6A Drainstrom noch 0,2V am Kanal abfallen. Das wären dann 1,2W Verlustleistung. Bei 4,0V Gatespannung fält nur noch 0,15V ab. Also 0,9W Verlust. Nach den Kurven gehe ich normalerweise. Wenn man nur nach den Widerständen im durchgeschalteten Zustand geht, dann kann man sich schnell ins Knie schießen weil er eventuell zuviel Spannnung zum Durchschalten benötigt.

Aber da haben andere bestimmt auch so ihre eigene Art einen Transistor auszuwählen. Alles Geschmackssache

Sieh dir im Gegenzug mal einen anderen MOSFET an ...
Anhang anzeigen BUZ11A_Fairchild_N-Ch-PowerMOSFET.pdf
Das Diagramm auf Seite 3 : FIGURE 5. OUTPUT CHARACTERISTICS
Da kommst du bei 4,0V Gatespannung nicht mal an die 6A dran. Es ist aber auch kein LogicLevel-MOSFET. Bei dem benötigst du mindestens 7V um halbwegs auf ähnliche Werte zu kommen.

Eine Treiberstufe benötigst du eigentlich nur wenn du mit einem größeren MOSFET (hohe Gatekapazität) mit hoher Frequenz schalten willst oder eine hohe Flankensteilheit beim Schalten benötigst. Je höher die Flankensteilheit (schneller Übergang vom Sperren zum Durchschalten) desto eher ist er durch den linearen Bereich durch und du hast weniger Verlustleistung.

Besorg dir doch einfach mal ein paar günstige MOSFETs wie zB den IRLU2905, IRLZ34N, BUZ11A. Dann kannst du mal bei verschiedenen Stromstärken (so bis 2..3A) mal ein wenig schalten und fühlen wie warm sie werden. Die drei Typen sind eigentlich recht pflegeleicht und kosten nicht soviel. Beim BUZ11A kannst du dann mal sehen wie er gegenüber einem LogicLevel reagiert um ein Gefühl dafür zu bekommen.

WICHTIG! - MOSFETs haben durch die Struktur zwangsläufig eine Diode zwischen Drain und Source. Wenn du die Pins also vertauscht dann ist er auf Durchzug (dauernd an). Das wichtigste wo du drauf achten mußt ist die maximale Gatespannung. Wenn du die überschreitest, dann ist er Elektronikschrott

Gruß
Dino

 

[dino03]

Da ich den ursprünglichen Thread aufgeräumt und geteilt habe gehts mit dem nächsten Thema dort weiter ...
>>> Frage zu einem Widerstand

Originalbeitrag: Hallo
Threadliste: Hallo - Beitrag #28

 

[wer]

Also, ich habe mir mal ein paar zum Testen bestellt:
IRLU 2905, BUZ 11A, IRLIZ 44N und IRLU 024N.

Alle diese Bauteile haben schon eine Diode integriert. Heißt das, daß ich auf eine Freilaufdiode verzichten kann? Im Moment interpretiere ich das eher als eine Art Verpolschutz, oder?

Noch eine Frage: Gibt es irgendwo ein Abkürzungsverzeichnis zur Elektronik?

Bin z.B. jetzt im Zusammenhang mit Schottky-Dioden konfrontiert mit V_RRM, I_FAVM, I_FSM,
V_F, R_thJC, R_thJA usw. Da steht unsereiner davor, wie der Ochs vor ...

 

[wer]

Habe mal einen ersten Test mit dem BUZ 11A gemacht, den ich schon nicht verstehe.

Beide Male läuft der Lüfter.
Ich hätte erwartet, daß er beide Male nicht läuft. Einmal wegen der Tatsache, daß er gar nicht angesteuert wird. Im anderen Fall wegen der internen Diode.

 

[Senpai]

Das Gate solltest du zum Schalten auf ein definierte Potential legen
nicht angeschlossen ist der FET zwar Hochohmig aber das reicht für eine kleine last wie deinen lüfter aus.
Da das Gate sich nicht entladen kann. Wird es nicht komplett sperren

 

[dino03]

Hallo,

WICHTIG!!! Jetzt im Winter ist die Luftfeuchtigkeit sehr gering. Dadurch lädst du dich alleine schon beim gehen über einen Teppich elektrisch auf. Das hab ich die letzten Tage selbst zur genüge erlebt. Also vor dem Arbeiten mit den FETs DRINGEND an einer Heizung, Erdanschluß, ... entladen sonst schrottest du eventuell innerhalb kürzester Zeit selbst die robusteren FETs!

Alle diese Bauteile haben schon eine Diode integriert. Heißt das, daß ich auf eine Freilaufdiode verzichten kann? Im Moment interpretiere ich das eher als eine Art Verpolschutz, oder?

1. Die Diode die in den Datenblättern steht ist keine Schutzdiode sondern eine Diode die zwangsweise durch den Fertigungsprozeß entsteht. Du kannst dir die Freilaufdiode nicht sparen.

Habe mal einen ersten Test mit dem BUZ 11A gemacht, den ich schon nicht verstehe.
Anhang anzeigen 5037
Beide Male läuft der Lüfter.
Ich hätte erwartet, daß er beide Male nicht läuft. Einmal wegen der Tatsache, daß er gar nicht angesteuert wird. Im anderen Fall wegen der internen Diode.

2. Bei deinen 2 Versuchen fließt der Strom einmal über diese fertigungstechnisch bedingte Diode und einmal ist der Transistor wegen "rumgefinger" am Gate aufgeladen und steuert dadurch durch. Es reicht aus das du deinen Finger ans Gate legst um ihn durchschalten zu lassen. Das Gate ist so hochohmig das die Spannung auch einige Minuten oder länger erhalten bleibt. Die dünne Oxidschicht zwischen dem Gate und dem Lastkanal ist so empfindlich das du sie über eine elektrostatische Ladung zerstören kannst. Schalte mal den Gateanschluß direkt an den Source damit es sich entladen kann. Dann sollte der MOSFET sperren. Wenn nicht ... dann ist er eventuell schon über elektrostatische Aufladung geschrottet.

Lager die MOSFETs am besten auf leitfähigen Schaumstoff (dieses schwarze Zeugs) oder auf Alufolie (Notbehelf) oder in diesen rosanen Tüten.

- MOS-Schaum ist elektrisch leitfähig (im Megaohm-Bereich) und leitet elektrische Ladung langsam ab. Der Entladestrom wird also begrenzt.

- Alufolie verhindert Potentialunterschiede zwischen Anschlüssen die damit Kontakt haben. Dafür sind die Entladeströme bei Potentialunterschieden maximal (nicht so gut).

- Die rosa Tüten sind NICHT elektrisch leitfähig. Dafür sind sie antistatisch und verhindern Aufladung. Die silbernen Tüten sind metallisch beschichtet (besser) und die schwarzen Tüten sind wie der MOS-Schaum hochohmig leitfähig.

Wenn du normale Plastiktüten nimmst dann kannst du die Bauteile auch gleich auf den Teppich legen.

Soviel erstmal zwischendurch.

Noch eine Frage: Gibt es irgendwo ein Abkürzungsverzeichnis zur Elektronik?

Bin z.B. jetzt im Zusammenhang mit Schottky-Dioden konfrontiert mit V_RRM, I_FAVM, I_FSM,
V_F, R_thJC, R_thJA usw. Da steht unsereiner davor, wie der Ochs vor ...

Teilweise in den Datenblättern oder Datenbüchern findet man Erklärungen oder Verzeichnisse. Aber nicht wirklich vollständig. Es ist aber ein System drin das man nur erkennen muß zB ...

R_thJC ... Resistor thermal Junction Case (Thermischer Widerstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse)
R_thJA ... Resistor thermal Junction Ambient (Thermischer Widerstand zwischen Sperrschicht und Umgebung)

Bei den Spannungen und Strömen findest du entweder V (Volt) oder U (Spannung) am Anfang und dann meißt die Bezeichnung der betroffenen Anschlüsse dahinter mit eventuell noch einer weiteren Erweiterung. Versuch mal einen englischen Sinn zu finden. Ist eigentlich garnicht so schwer.

Gruß
Dino

 

[wer]

Schalte mal den Gateanschluß direkt an den Source damit es sich entladen kann. Dann sollte der MOSFET sperren. Wenn nicht ... dann ist er eventuell schon über elektrostatische Aufladung geschrottet.

Es funktioniert. Er ist also noch nicht kaputt. Aber er wird verdammt heiß, obwohl er nicht länger als 5 Sekunden läuft

Es ist aber ein System drin das man nur erkennen muß zB ...

R_thJC ... Resistor thermal Junction Case (Thermischer Widerstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse)
R_thJA ... Resistor thermal Junction Ambient (Thermischer Widerstand zwischen Sperrschicht und Umgebung)

Bei den Spannungen und Strömen findest du entweder V (Volt) oder U (Spannung) am Anfang und dann meißt die Bezeichnung der betroffenen Anschlüsse dahinter mit eventuell noch einer weiteren Erweiterung. Versuch mal einen englischen Sinn zu finden. Ist eigentlich garnicht so schwer.

Tut mir leid Dino, ich kann nichts weiter erraten. Was meint denn z.B. das 'M'?